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    52W
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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    功率: 52W
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6685

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7DN6LF3 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL7DN6LF3 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7DN6LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:43mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6685

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1826,"23+":14095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6685

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6685 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6685

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N050HATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L045HATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4406,"21+":13111,"22+":15233,"23+":15806}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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