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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
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功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
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功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4425EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4435EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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