品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2905}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: