采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH200N10WF7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH200N10WF7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
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输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH200N10WF7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH200N10WF7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@5.5mA
栅极电荷：173nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5033pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@64A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
