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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：08+
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功率：1.9W
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栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：6.25W€104.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：8960pF@15V
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连续漏极电流：85.9A€350.8A
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