品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":50000,"MI+":12686}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@30V
连续漏极电流:25.5A€92.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@50V
连续漏极电流:11A€71A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7490TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6834}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€48.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: