采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：343141}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125L6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
