采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
