品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG5802LFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1066.4pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3333pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":179200,"06+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":179200,"06+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG5802LFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1066.4pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG5802LFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1066.4pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":47145,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG5802LFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1066.4pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3333pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG5802LFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1066.4pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":9472}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3818
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@12V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:13.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":47145,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€12.5W
阈值电压:1.45V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":195,"10+":5600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: