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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€1.09W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€1.09W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€1.09W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€1.09W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
