采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2810
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2810
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2810
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2215UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2810
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
