品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1951,"14+":6148,"15+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R420CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":26,"20+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R420CFDBTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2546}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R420CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2546}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R420CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: