采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO67N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO67N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5760pF@6V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO67N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO67N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
