品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA€775mA
类型:N和P沟道
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V€8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4401NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4401NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA€775mA
类型:N和P沟道
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V€8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:660mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4401NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA€775mA
类型:N和P沟道
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V€8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA€775mA
类型:N和P沟道
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V€8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA€775mA
类型:N和P沟道
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
漏源电压:20V€8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013TQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:660mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: