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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 270mW
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订14个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订14个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4158CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA€880mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:30V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4158CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA€880mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:30V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:660mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4158CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4158CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA€880mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:30V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:660mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订250个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订250个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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