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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138W-TP 起订71个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138W-TP 起订71个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-TP

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138W-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138W-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-TP

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2575pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2575pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2575pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":551}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2575pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5A

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2575pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LFGQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10944}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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