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    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 100V
    连续漏极电流: 75A
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    操作
    IXYS Mosfet场效应管 FMM75-01F
    IXYS Mosfet场效应管 FMM75-01F

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FMM75-01F

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@4mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    连续漏极电流:75A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15000,"18+":1250,"19+":4250,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN009-100P,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:232
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15000,"18+":1250,"19+":4250,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN009-100P,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15000,"18+":1250,"19+":4250,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN009-100P,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4710PBF 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4710PBF 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":490,"24+":16489}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4710PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6160pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":51050,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA75N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":752}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:191
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA75N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA75N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15000,"18+":1250,"19+":4250,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN009-100P,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN009-100P,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15000,"18+":1250,"19+":4250,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN009-100P,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":752}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA75N10P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA75N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4710PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4710PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":490,"24+":16489}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4710PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6160pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":28,"22+":483}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Microchip Mosfet场效应管 APT10M19SVRG
    Microchip Mosfet场效应管 APT10M19SVRG

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10M19SVRG

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.12nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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