采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R900P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80ZL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：75，"08+"：292}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：[]
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：19480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R600P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：150000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R3K3P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：120pF@500V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@590mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT11N80BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1585pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：498}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：999，"19+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP04N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6975，"9999"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R1K2P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
