采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"16+"：4000，"17+"：1208，"9999"：84}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4094-1E
工作温度：150℃
功率：1.75W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0603N-S23-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0603N-S23-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0603N-S23-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：4000，"17+"：1208，"9999"：84}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4094-1E
功率：1.75W€90W
导通电阻：5mΩ@50A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：220nC@10V
输入电容：12500pF@20V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@300µA
功率：30W
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：2484，"16+"：4700，"9999"：249，"MI+"：7050}
规格型号(MPN)：2SK4066-1E
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
栅极电荷：220nC@10V
输入电容：12500pF@20V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
连续漏极电流：43A
阈值电压：4V@200µA
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：15mΩ@15A，10V
功率：53W
输入电容：1050pF@30V
包装方式：管件
栅极电荷：16nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
