首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    包装方式
    ECCN
    漏源电压
    30V
    类型
    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E2R7-30B,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6212pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:241
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906NA-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906NA-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":22125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4906NA-35G

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1932pF@15V

    连续漏极电流:10.3A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2290
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3703PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3703PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3703PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€230W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:209nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@76A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1086
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1886
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1233
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R7-30C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R7-30C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":93,"11+":4987,"9999":100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK653R7-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4707pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:254
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E1R6-30E,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E1R6-30E,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E1R6-30E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11960pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:274
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3803PBF 起订344个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3803PBF 起订344个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL3803PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@71A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1924
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:713
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 FDP6030BL
    onsemi Mosfet场效应管 FDP6030BL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":571,"19+":149}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP6030BL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:573
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP100N03S2-03
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP100N03S2-03

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"02+":400}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP100N03S2-03

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7020pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:258
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:702
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP8030L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP8030L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":103,"06+":744,"07+":661,"08+":698,"09+":551,"12+":400,"13+":2902,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8030L

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"9999":1,"MI+":989}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R0-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:229nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14964pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN022-30PL,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN022-30PL,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2,"21+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN022-30PL,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":2448,"08+":6022,"10+":2425,"MI+":6750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N03L27-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":6150}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4909N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.37W€29.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1314pF@15V

    连续漏极电流:8.8A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4969N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":48500,"07+":37500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP8030L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP8030L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":103,"06+":744,"07+":661,"08+":698,"09+":551,"12+":400,"13+":2902,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8030L

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4808N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4265,"08+":840}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4808N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧