品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30,"22+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDUL09N150CG
工作温度:150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2025pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: