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    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 9A
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:6
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":30,"22+":60}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDUL09N150CG

    工作温度:150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2025pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:60
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509KNXC7G

    工作温度:150℃

    功率:48W

    阈值电压:5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509KNXC7G

    工作温度:150℃

    功率:48W

    阈值电压:5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6509KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509KNXC7G

    工作温度:150℃

    功率:48W

    阈值电压:5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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