品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP150NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT42F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6810pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@21A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10435,"23+":1297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP150NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10435,"23+":1297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP150NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10435,"23+":1297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP150NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3178}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3110Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3178}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3110Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3178}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3110Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: