采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"20+"：10339}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：4291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6510-75C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"20+"：10339}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"20+"：10339}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6510-75C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S405AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
功率：313W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：81nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
输入电容：3410pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
功率：313W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：81nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
输入电容：3410pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
