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    60V
    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:400+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2025
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    输入电容:500pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:25W

    包装方式:管件

    栅极电荷:9.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    输入电容:500pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:25W

    包装方式:管件

    栅极电荷:9.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":957,"15+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:196
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-60PLQ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-60PLQ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-60PLQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:223nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:155
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP019N06NF2SAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP019N06NF2SAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1120}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP019N06NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€188W

    阈值电压:3.3V@129µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@30V

    连续漏极电流:33A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:166
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90N06S404AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90N06S404AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":14000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP90N06S404AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:582
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI029N06NAKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI029N06NAKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI029N06NAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.8V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP032N06N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP032N06N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP032N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@118µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13000pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTP3055VL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S4H1AKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S4H1AKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12000,"18+":25980,"MI+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S4H1AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:21900pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:174
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N06L3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP037N06L3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":203,"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP037N06L3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:13000pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:315
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S403AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S403AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":22000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S403AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13150pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:185
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":893}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:59
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA1 起订368个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA1 起订368个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":8000,"16+":14700}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:368
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP3306PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:220W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA029N06NXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA029N06NXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":25,"21+":950,"22+":200}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA029N06NXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3.3V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5125pF@30V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@84A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:220
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