采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD113PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@800mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：118859，"16+"：15，"18+"：34425，"19+"：10837，"9999"：375，"MI+"：15420}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU01N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：11W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：118859，"16+"：15，"18+"：34425，"19+"：10837，"9999"：375，"MI+"：15420}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU01N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：11W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：8775，"9999"：1125}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：118859，"16+"：15，"18+"：34425，"19+"：10837，"9999"：375，"MI+"：15420}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU01N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：11W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：8775，"9999"：1125}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
