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    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    工作温度:-50℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:66W

    输入电容:1250pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU9014PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU9014PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ661-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP80P06PHXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP80P06PHXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP80P06PHXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:340W

    阈值电压:4V@5.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:173nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5033pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@64A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP18P06PHXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP18P06PHXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP18P06PHXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:81.1W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z10PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z10PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z10PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9020PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@1µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@960mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP18P06PHXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP18P06PHXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP18P06PHXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:81.1W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9020PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@1µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@960mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9020PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9020PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@1µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@960mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP80P06PHXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP80P06PHXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP80P06PHXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:340W

    阈值电压:4V@5.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:173nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5033pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@64A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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