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    60W
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    工作温度
    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    功率: 60W
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015KNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.05nF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015KNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.05nF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5Q60W,S1VQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5Q60W,S1VQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5Q60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ENXC7G

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015KNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.05nF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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