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    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    功率: 333W
    类型: N沟道
    当前匹配商品:20+
    商品信息
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    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1183}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11323pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:114
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"9999":929}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R3-75C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"18+":1776,"21+":18409}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1404

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5669pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@121A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"18+":1776,"21+":18409}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1404

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5669pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@121A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"9999":929}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R3-75C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"18+":1776,"21+":18409}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1404

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5669pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@121A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"9999":929}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R3-75C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:106
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R3-75C,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"9999":929}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R3-75C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"18+":1776,"21+":18409}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1404

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5669pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@121A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1183}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11323pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":170,"MI+":50}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1404 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"18+":1776,"21+":18409}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1404

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5669pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@121A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E4R3-75C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E4R3-75C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E4R3-75C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":170,"MI+":50}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":1183}

    规格型号(MPN):BUK752R3-40C,127

    输入电容:11323pF@25V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    功率:333W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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