采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP141NF55
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"19+"：600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWT30HP65FB
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：146ns
反向恢复时间：140ns
关断损耗：293µJ
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：149nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP141NF55
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP141NF55
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP141NF55
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP141NF55
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWT20V60DF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWT20V60DF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
规格型号(MPN)：STP141NF55
连续漏极电流：80A
输入电容：5300pF@25V
导通电阻：8mΩ@40A，10V
栅极电荷：142nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：313000，"21+"：29000，"MI+"：3000}
规格型号(MPN)：STP141NF55
连续漏极电流：80A
输入电容：5300pF@25V
导通电阻：8mΩ@40A，10V
栅极电荷：142nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"19+"：600}
规格型号(MPN)：STGWT30HP65FB
关断损耗：293µJ
反向恢复时间：140ns
类型：沟槽型场截止
ECCN：EAR99
关断延迟时间：146ns
集电极脉冲电流(Icm)：120A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：149nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW38N65M5
漏源电压：650V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW4N150
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
功率：160W
漏源电压：1.5kV
阈值电压：5V@250μA
导通电阻：7Ω@10V，2A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20N90K5
连续漏极电流：20A
漏源电压：900V
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：250W
导通电阻：250mΩ@10V，10A
阈值电压：5V@100μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
