采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N65S3R0-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N65S3R0-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N65S3R0-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：655}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N65S3R0-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：655}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
