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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：525V
阈值电压：4.5V@50µA
包装方式：管件
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：334pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP4N52K3
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：525V
阈值电压：4.5V@50µA
包装方式：管件
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：334pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
