品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1.5A,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":139}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R099P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@1.21mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@100V
连续漏极电流:37.9A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP42N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA48N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":500,"17+":1000,"20+":500,"MI+":490}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R125CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2287}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R125P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:4.5V@1.21mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@100V
连续漏极电流:37.9A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17535,"19+":43000,"22+":10500,"23+":2271,"9999":448,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ42N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: