采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF85N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4120pF@25V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@26.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF85N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4120pF@25V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@26.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
