品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@18V
包装方式:管件
输入电容:707pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瞻芯
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IV1Q12050T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:344W
阈值电压:3.2V@6mA
栅极电荷:120nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2750pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":40}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@800V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120016K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:517W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:218nC@15V
包装方式:管件
输入电容:7824pF@800V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:455mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R040M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.2V@10mA
栅极电荷:39nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1620nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L014N120M3P
工作温度:-55℃~175℃
功率:686W
阈值电压:4.63V@37mA
栅极电荷:329nC@18V
包装方式:管件
输入电容:6230pF@800V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@74A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":329}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0025120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4402pF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@800V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: