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    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
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    漏源电压: 1200V
    栅极电荷: 28nC@15V
    阈值电压: 2.69V@5mA
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    阈值电压:2.69V@5mA

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    功率:123W

    输入电容:730pF@800V

    包装清单:商品主体 * 1

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