品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R210CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":40,"19+":763}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":514,"15+":500,"16+":6000,"17+":3218,"18+":19500,"19+":5500,"9999":350,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@7.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@7.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1830pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@7.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6000,"16+":18681,"17+":1000,"18+":5246,"19+":500,"9999":400,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@290µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: