品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:15A
类型:MOSFET
导通电阻:305mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2.9A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:11nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.4A
类型:MOSFET
导通电阻:1.35Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU4N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:2V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.27Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:15A
类型:MOSFET
导通电阻:305mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:33W
阈值电压:4V
栅极电荷:48nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7.5A
类型:MOSFET
导通电阻:205mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:11nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.4A
类型:MOSFET
导通电阻:1.35Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:11nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.4A
类型:MOSFET
导通电阻:1.35Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU4N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:2V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.27Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1000psc
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
阈值电压:4V
功率:156W
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
栅极电荷:35nC
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIHD5N80AE-GE3
导通电阻:1.35Ω
功率:62.5W
阈值电压:4V
包装方式:Tube
栅极电荷:11nC
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:4.4A
漏源电压:800V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIHD5N80AE-GE3
导通电阻:1.35Ω
功率:62.5W
阈值电压:4V
包装方式:Tube
栅极电荷:11nC
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:4.4A
漏源电压:800V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU4N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:2V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.27Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU4N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:2V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.27Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:391mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2.9A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: