采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
阈值电压：4.5V@250μA
输入电容：1.228nF@100V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
阈值电压：4.5V@250μA
输入电容：1.228nF@100V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2054
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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