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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：0.9nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN4NF20L
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功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN4NF20L
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功率：3.3W
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栅极电荷：0.9nC@10V
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连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
功率：3.3W
栅极电荷：0.9nC@10V
连续漏极电流：1A
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
输入电容：150pF@25V
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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