品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N-ES
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:1.25A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@4.5V,900mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N-ES
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:1.25A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@4.5V,900mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:750mA
功率:900mW
栅极电荷:800pC@4.5V
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:33pF@16V
阈值电压:1.1V@250μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
功率:13.6W
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:525pF@10V
栅极电荷:8nC@4.5V
连续漏极电流:7.8A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:1.1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N02D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:445pF@10V
导通电阻:2.8mΩ@4.5V,30A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: