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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：620pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
输入电容：455pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
导通电阻：100mΩ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：3.1A
输入电容：455pF@10V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
