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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：45nC@8V
连续漏极电流：12A
输入电容：1300pF@10V
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：3.4W€17.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCMN2012-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
