销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: