品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:339pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UFY4-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:670mW
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:530pF@10V
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.7A€2.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:487pF@20V
栅极电荷:6.3nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N-Channel
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
输入电容:2760pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
功率:730mW
漏源电压:20V
栅极电荷:59nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@16V
功率:310mW
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:27.6pF@16V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:850mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004K-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:150pF@16V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFDF-7
连续漏极电流:8.1A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1808pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.03W
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP210DUFB4-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@15V
连续漏极电流:0.2A
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.74nC@4.5V
连续漏极电流:0.87A€0.64A
功率:530mW
类型:N+P-Channel
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:380mW
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
栅极电荷:0.93nC@10V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D2UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
类型:P沟道
输入电容:49pF@15V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:330mA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJQ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:N和P沟道互补型
连续漏极电流:450mA€310mA
漏源电压:20V
输入电容:27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.54W
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2016UTS-13
功率:880mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14.5mΩ@9.4A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1495pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
连续漏极电流:8.58A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
栅极电荷:0.62nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:820mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:59.76pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
功率:460mW
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:455mA€328mA
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
栅极电荷:0.62nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:820mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:59.76pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: