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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1062X-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1062X-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:2.7nC@8V

    功率:220mW

    连续漏极电流:530mA

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€8A

    输入电容:4085pF@50V

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:118nC@10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1300pF@10V

    导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:3.4W€17.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    类型:N和P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:520pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    输入电容:1300pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.2A€6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    功率:1W€1.7W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:36nC@8V

    连续漏极电流:5.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订56个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订56个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    连续漏极电流:-3.1A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    类型:P-Channel

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.7A€8A

    栅极电荷:24nC@8V

    输入电容:860pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1090pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23mΩ

    功率:1.7W€2.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    输入电容:666pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:1V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-GE3

    导通电阻:64mΩ@3A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:21nC@8V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    类型:N沟道

    栅极电荷:24nC@8V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:860pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€8A

    输入电容:4085pF@50V

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:118nC@10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订16个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订16个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    输入电容:1300pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-BE3

    导通电阻:64mΩ@3A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:21nC@8V

    连续漏极电流:2A€2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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