品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2.7nC@8V
功率:220mW
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€8A
输入电容:4085pF@50V
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:118nC@10V
类型:P沟道
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
连续漏极电流:12A
输入电容:1300pF@10V
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:3.4W€17.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
类型:N和P沟道
导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:520pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
功率:1W€1.7W
漏源电压:20V
栅极电荷:36nC@8V
连续漏极电流:5.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:19nC@8V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
连续漏极电流:-3.1A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:-20V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.7A€8A
栅极电荷:24nC@8V
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:19nC@8V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ
功率:1.7W€2.7W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
输入电容:666pF@10V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-GE3
导通电阻:64mΩ@3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:21nC@8V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
类型:N沟道
栅极电荷:24nC@8V
连续漏极电流:8A
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€8A
输入电容:4085pF@50V
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:118nC@10V
类型:P沟道
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-BE3
导通电阻:64mΩ@3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:21nC@8V
连续漏极电流:2A€2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: