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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.86nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KE-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.86nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
