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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：1.151nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J424TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J414TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J424TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J424TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J414TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J358R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1331pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.1mΩ@6A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J378R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J358R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1331pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.1mΩ@6A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J378R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J414TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J424TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
