采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
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栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
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连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
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功率：352W
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连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
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功率：352W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：68A
类型：N沟道
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漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
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包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
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功率：277W
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连续漏极电流：68A
类型：N沟道
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漏源电压：1200V
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库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
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功率：277W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：68A
类型：N沟道
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漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
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栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：30psc
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
输入电容：3175pF@800V
阈值电压：4.4V@20mA
功率：352W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
栅极电荷：151nC@18V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：30mΩ@40A，18V
包装方式：管件
连续漏极电流：68A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN70N120SK
工作温度：-40℃~175℃
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2790pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN70N120SK
工作温度：-40℃~175℃
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2790pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
