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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V
栅极电荷：89nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：214A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4V
栅极电荷：23.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63.7A
类型：MOSFET
导通电阻：9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N10M
阈值电压：4V
连续漏极电流：190A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：155W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：142A
类型：MOSFET
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：83W
阈值电压：4V
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13.7A
类型：MOSFET
导通电阻：186mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4V
栅极电荷：23.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63.7A
类型：MOSFET
导通电阻：9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H4M6SPS-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：66nC
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10F
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.8mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N10Q
阈值电压：4V
连续漏极电流：190A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V
栅极电荷：89nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：214A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V
栅极电荷：89nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：214A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT250P10T
阈值电压：4V
连续漏极电流：56A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V
栅极电荷：89nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：214A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
