品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
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类型:N沟道
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2053
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
栅极电荷:12nC@5V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
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类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
功率:394W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
工作温度:-40℃~150℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
功率:394W
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ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
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连续漏极电流:60A
栅极电荷:12nC@5V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
功率:394W
阈值电压:2.5V@9mA
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:60A
栅极电荷:12nC@5V
工作温度:-40℃~150℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: