品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S4-61
工作温度:-55℃~+175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S4-61
工作温度:-55℃~+175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: